中心研究成果速递：间歇性θ波爆发刺激改善难治性精神分裂症患者的视觉空间工作记忆:一项初步研究
发布时间：2022-03-16 浏览次数：0
研究背景
难治性精神分裂症(Treatment-resistant schizophrenia，TRS)具有持续的临床症状，并伴有认知障碍，这是导致患者社会功能预后下降的主要原因。视觉空间工作记忆(Visual-spatial working memory，vsWM)障碍是精神分裂症患者常见的一种认知障碍，并在整个疾病过程中持续存在。此外，它被认为是精神分裂症遗传易感性的潜在预测指标。因此，vsWM的表现可能是精神分裂症的稳定标记。然而，TRS中vsWM缺陷的病因尚不完全清楚，现有的治疗方法也不能有效地治疗这些障碍。基于vsWM损伤在精神分裂症中的预测价值，改善vsWM表现的新干预措施尤为重要。考虑到ECT的记忆丧失风险，rTMS可能是改善TRS患者工作记忆(WM)缺陷的一种安全技术。间歇θ波爆发刺激(iTBS)是一种兴奋的模式化rTMS序列，可以快速诱导长期电位，类似于突触可塑性。既往研究发现，iTBS刺激结合神经导航对改善精神分裂症临床症状具有优势，具有明显的治疗意义。因此，当iTBS用于vsWM特定的认知功能时，它也可以在精神分裂症的特定认知功能促进中发挥靶向作用。本研究旨在通过基于导航设备的间歇性θ爆发性刺激(iTBS)改善TRS的vsWM功能，精确调节TRS患者左背外侧前额叶皮层(L-DLPFC)的活动。
研究过程
本研究招募TRS患者（n = 59）被随机分配接受的iTBS（n = 33）或假刺激（n = 26）去接受2周的治疗。包括TRS患者和健康对照(HCs)在内的参与者执行n-back任务，并在治疗前后收集TRS患者的神经影像学数据。所有患者还接受了一系列症状测量，以评估疾病的严重程度。主要结果测量是n-back目标响应的准确性(ACC)，特别是3-back的正确率。
研究结果
结果发现与假刺激组相比，iTBS组的n-back的正确率有明显的改善，尤其是3-back的正确率。在iTBS之后，n-back的功能趋近与正常人。影像学的交互作用（组x时间）结果显示右侧枕区分数低频振幅（fALFF）的幅度增加，右楔前叶的fALFF值降低。然而，3-back的正确率与改善的临床症状改善之间存在正相关。3-back正确率的改善与右侧视觉皮层的活动呈正相关。
因此我们的研究可提供相应的证据，2周的iTBS可能是一种新颖、有效的治疗TRS中vsWM缺陷的方法，使TRS患者的vsWM功能恢复，帮助患者接近正常。此外，iTBS还可改善TRS患者的临床症状，尤其是阴性症状。当L-DLPFC的活动得到准确有效的调整时，特定的认知域可以通过大脑网络之间的连接被激活。
研究结论
结论表明，iTBS可能是一种潜在的认知增强工具，特别是对于精神分裂症的核心认知缺陷；它可能最终补充抗精神病药物以改善TRS患者的日常生活。
相关成果被Journal of Psychiatric Research（IF=4.79）杂志接收，中心主任汪凯教授为通讯作者，中心成员王璐为第一作者、李倩倩为共同第一作者。
