优化的磁刺激能更好的改善认知功能
发布时间：2021-03-26 浏览次数：0
神经调控技术可以通过利用电、磁等方法靶向调控大脑功能，被广泛的应用于认知神经科学的相关研究。其中重复经颅磁刺激（rTMS）能够改善局部及远隔部位脑区的功能，具有靶向调控脑功能的潜力，因此越来越多的应用于认知促进的研究。人们一直在探索如何提高rTMS对认知功能的促进作用，发现rTMS的刺激效应会受到刺激频率和模式的影响。
θ爆发式磁刺激（TBS）是一种新型的快速rTMS，它更接近于模拟大脑的自然脑电振荡模式，可能比传统的rTMS对认知有更强影响。然而，改良的TBS对认知功能的影响是否优于传统刺激序列尚未可知。因此，本实验室，基于行为学研究，通过比较传统的20Hz rTMS和iTBS对工作记忆和执行功能的促进效应，探索更有效的刺激模式。
本研究采用平行、随机、对照设计，纳入60名受试者，随机分为Sham组、20Hz rTMS和iTBS组，并接受相应模式的刺激，采用N-Back和威斯康辛卡片分类测验（WCST）评估受试者的工作记忆和执行功能。通过比较其对N-BACK和威斯康辛卡片分类测验（Wisconsin Card Sorting Testing, WCST）的改善效应，进而筛选出最佳的能够促进认知功能的刺激模式。
研究结果
图1.不同刺激模式对3-BACK、2-BACK正确率（ACC）和反应时（RT）的影响
3-back的ACC在20 Hz rTMS、iTBS和Sham后表现出显著的交互作用。20 Hz rTMS和iTBS刺激后明显改善，而Sham组无明显改善（A）。而在2-BACK的正确率和RT中未见差异。
图3.不同刺激模式间的比较
(A) iTBS对3-Back准确性的改善显著高于20 Hz rTMS和Sham;
(B) iTBS、20 Hz rTMS和Sham对3-Back反应时间的影响没有差异;
(C) iTBS对WCST持续错误率的改善显著高于20 Hz rTMS和Sham，但20 Hz rTMS和Sham无差异。
研究结论
<section style="margin:10px 0px;padding:0px;max-width:100%;box-sizing:border-box;word-wrap:break-word !important;color:#333333;font-family:-apple-system, BlinkMacSystemFont, " font-size:16px;font-style:normal;font-variant-ligatures:normal;font-variant-caps:normal;font-weight:normal;letter-spacing:0.544px;orphans:2;text-align:justify;text-indent:0px;text-transform:none;white-space:normal;widows:2;word-spacing:0px;-webkit-text-stroke-width:0px;background-color:#ffffff;"="">
相关成果被世界神经科学协会的期刊eNeuro（IF=3.65）接收，并被评为当期的Featured Research，中心主任汪凯教授，田仰华教授作为通讯作者，中心成员吴兴启和王璐为并列第一作者。
原文链接：
https://doi.org/10.1523/ENEURO.0392-20.2020
